对稀土电学性质的研究比对光和磁性的研究开展得晚，但自60年代以来，对稀土电学性质已相继找到一些应用。例如，利用La3C2O3作为高温加热元件；利用稀土氧化物制备陶瓷电容，可延长电容器的寿命，或获得在工作温度下介电常数很稳定的多层陶瓷电容器，日、美已进行了大量生产；利用掺镧的钛锆酸铅透明陶瓷作为电光开关或信息显示；利用硼化镧作阴极发射材料，特别是在传感方面的应用有了一些进展，如利用氟化镧晶体作为氟离子的选择性电极。

　　从70年代开始，国内外才对稀土化合物的电性、热敏、热电、气敏、光电、快离子导电、超导电等方面开展了工作。近几年来稀土化合物的半导体材料、快离子导电材料、传感材料、高Tc超导电材料等电性材料的发掘及其广阔的应用前景、潜在的巨大经济意义引起了科学家的重视，加速了研究进程。

　　稀土硼化物和碳化物导电性能很好，熔点又高，LaB6可用作高温燃料电池氧电极、磁流体发电机的电极和电子阴极发射材料，EuB6还可以作为离子选择性电极的膜测稀土离子。稀土的N、P、As、Sb化合物电阻率均较低，稀土氮化物和磷化物都是半导体，YP和SmP与P－Si生成P－N结，具有光生伏特效应，有可能作为光电器件。近些年来，对于稀土光电性质的研究主要集中在以下几个方面：

　　（1）高压光生伏特效应：钙钛矿型的铁电陶瓷BaTiO3、Pb(ZrxTiy)O3经极化后，在光照射下能产生光电压，用7 % La替代Pb(Zr0.65Ti0.35)O3中的Pb效果最好，饱和光电压可达1500 V/cm。

　　（2）光生伏特电池：人们在P－Si片上沉积Sc、Y、Yb、Lu，制得了MIS电池，认为Sc和Lu的效果最好，以SiOx作反射层时，电池的开路电压可达到0.55 V。

　　（3）MOS金属－氧化物－半导体场效应管与短波光电转换器：在10 Ωcm的n－Si片上蒸镀一层SiO2绝缘层，与硅片接触处蒸镀一层（20 % Y2O3＋80 % TiO2）层，然后在它们上面安装电极，中间做成栅极，形成MOS场效应管。

　　（4）LaF3 太阳能电池：利用LaF3的热释电效应，即温度改变时，LaF3的自发极化强度发生变化的特点，当太阳光被吸收后转化成热能，温度升高。而LaF3的电容随温度升高呈指数方式地增加，因此使单位体积内储存更多的静电能。